RENESAS 1SS81TD-E
シリコンエピタキシャルプレ-ナ形ダイオ-ド
高電圧スイッチング用
絶対最大定格
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格値 単位
せん頭逆電圧 VRM *1 200 V
逆電圧 VR 150 V
平均整流電流 IO 200 mA
せん頭順電流 IFM 625 mA
サ-ジ順電流 IFSM *2 1 A
許容損失 Pd 400 mW
接合部温度 Tj 175 °C
保存温度 Tstg 65~+175 °C
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
逆電流 IR1 ― ― 200 nA VR = 150V
IR2 ― ― 100 μA VR = 200V
順電圧 VF ― ― 1.0 V IF = 100mA
端子間容量 C ― 1.5 ― pF VR = 0V, f = 1MHz
逆回復時間 trr ― ― 100 ns IF = IR = 30mA, Irr = 3mA, RL = 100Ω
入札1で50個です。
長期在庫品(新品)
定形外50g以内 120円
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取り起き3ヶ月可能です!!
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